双极型与单极型区别？ mos管是单极型还是双极型？

一、双极型与单极型区别？

　　在集成电路分类中有一种说法就是有双极型和单极型之分。所谓双极型和单极型主要指的是组成集成电路的晶体管的极性而言的。双极型集成电路是由NPN或PNP型晶体管组成。由于电路中载流子有电子和空穴两种极性，因此取名为双极型集成电路，就是人们平时说的TTL集成电路。

　　单极型集成电路是由MOS场效应晶体管组成的。因场效应晶体管只有多数载流子参加导电，故称场效应晶体管为单极晶体管，由这种单极晶体管组成的集成电路就得名为单极型集成电路，就是平时说的MOS集成电路

二、mos管是单极型还是双极型？

单极型

所有的mos都是单极型的,三极管才是双极型的。

主体不同

1、MOS管：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。2、三极管：半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。二、作用不同1、MOS管：管分为PMOS管和NMOS管，属于绝缘栅场效应管。

2、三极管：是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

三、特点不同1、MOS管：MOS管的source（源极）和drain（耗尽层）是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。

2、三极管：是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

三、什么叫双极型运放？

用两个PN结构成的三极管叫双极型晶体管，用这种晶体管组成的运放就是双极型集成运算放大器。运放还可以用场效应管制造。

四、双极型半导体器件是？

B.晶体管。

双极型半导体器件是指器件内部的电子和空穴两种载流子都参与导电过程的半导体器件。这类器件的导通电阻小于0.09Ω，导通电压降低，阻断电压高，电流容量大。

五、双极型三极管输入特性？

输入特性：三极管uce不变，输入回路电流Ib和电压Ube之间的关系曲线称为输入特性。

Uce=0时，基极与发射极相当于两个PN结并联，三极管输入特性相当于二极管正向伏安特性。

Uce>0时，发射区扩散到基区的电子有利于被收集到集电极，只有一小部分发射区发射的电子在基区和空穴复合成为Ib。和Uce=0相比，相同Ube，Ib将变小，因此输入特性将右移。Uce持续增大，不同Uce的输入特性曲线几乎重叠到一起。

六、双极型晶体管的特点？

输入特性曲线：描述了在管压降UCE一定的情况下，基极电流iB与发射结压降uBE之间的关系称为输入伏安特性，可表示为： 硅管的开启电压约为0.7V，锗管的开启电压约为0.3V。

输出特性曲线：描述基极电流IB为一常量时，集电极电流iC与管压降uCE之间的函数关系。可表示为： 双极型晶体管输出特性可分为三个区 ★截止区：发射结和集电结均为反向偏置。IE@0，IC@0，UCE@EC，管子失去放大能力。如果把三极管当作一个开关，这个状态相当于断开状态。★饱和区：发射结和集电结均为正向偏置。在饱和区IC不受IB的控制，管子失去放大作用，UCE@0，IC=EC/RC，把三极管当作一个开关，这时开关处于闭合状态。★放大区：发射结正偏，集电结反偏。放大区的特点是： ◆IC受IB的控制，与UCE的大小几乎无关。因此三极管是一个受电流IB控制的电流源。◆特性曲线平坦部分之间的间隔大小，反映基极电流IB对集电极电流IC控制能力的大小，间隔越大表示管子电流放大系数b越大。◆伏安特性最低的那条线为IB=0，表示基极开路，IC很小，此时的IC就是穿透电流ICEO。◆在放大区电流电压关系为：UCE=EC-ICRC, IC=βIB ◆在放大区管子可等效为一个可变直流电阻。极间反向电流：是少数载流子漂移运动的结果。集电极－基极反向饱和电流ICBO ：是集电结的反向电流。集电极－发射极反向饱和电流ICEO ：它是穿透电流。ICEO与CBO的关系： 特征频率 ：由于晶体管中PN结结电容的存在，晶体管的交流电流放大系数会随工作频率的升高而下降，当 的数值下降到1时的信号频率称为特征频率 。双极型晶体管极限参数 ★最大集电极耗散功率 如图所示。★最大集电极电流 :使b下降到正常值的1/2～2/3时的集电极电流称之为集电极最大允许电流。★极间反向击穿电压：晶体管的某一电极开路时，另外两个电极间所允许加的最高反向电压即为极间反向击穿电压，超过此值的管子会发生击穿现象。温度升高时，击穿电压要下降。

七、单极型和双极型晶体管的区别？

  两者主要区别是名称不同，机构制程不同，工作原理不同

 1、从名称上看，双极型晶体管全称为双极性结型晶体管，俗称三极管，而单极型晶体管叫做场景效应管，简称FET，有所区别。

 2、从结构制程上看，双极型晶体管是由三部分掺杂程度不同的半导体制成，而单极型号晶体管的典型结构是以一个均匀轻掺杂高电阻率的N型单晶半导体作为基区。

 3、从工作原理上看，双极型晶体管有两种载流子参与导电，而单极型晶体管工作时候只有一种载流子参与导电。

八、为什么三极管是双极型器件？

半导体三极管之所以叫双向元件，也叫双极性晶体管，是因为导电时有两种粒子参与导电，以NPN管为例，中间是P形，两边是N形，等于就是两个PN结，电子由发射极（假设以它在左边为例）的N区开始经正向电压到达P区，再由集电极那边的反偏电压把电子扫向右边（集电极）的N区，与此同时，空穴也也在电场的作用下，与电子的运动方向相反的方向运动，电子和空穴的一起运动构成了NPN管 的电流，因为他有电子和空穴两种粒子参与导电，所以称为双极性晶体管，也叫双向元件。

九、双极型氧化沟是什么意思？

双极型氧化沟。意思是拥有两种极端型态的氧化行为

十、MOS管与双极型管的区别？

这个问题很大，简单说几点吧。

1、双极型晶体管与单极型晶体管（MOS管是其中一种）放大器的输入电阻差别很大，后者比前者要高好几个数量级。前者在放大时需要比较大的偏置电流，而后者对偏置电流的要求较低。因此，单极型晶体管电路特别适合对输出电阻很大的信号源的输出信号放大，比如无线麦克风里面，大量使用以单极型晶体管为输入端的放大电路。

2、从放大倍数来看，双极型晶体管组成的放大电路占优势，放大倍数大对于后期引入负反馈也比较有利。

3、如果你放大的是音频这种对频率响应要求很高的信号，最好使用双极型晶体管，因为它的声音听起来比较自然，单极型晶体管的频率响应要比双极型晶体管差一些，有点重金属效果，用它来听轻音乐什么就太什么了。

4、在使用中，如果输出电流很大，最好使用单极型晶体管，因为它有一种自我保护的特点，即电流增大、温度升高后，D-S之间的通态电阻会增大，这样就会限制漏源电流，达到一种热保护的效果。而晶体管的特点刚好相反，温度升高后，集电极电流更大。以前我的老师就说过，同样一个电路，如果晶体管烫得连手都捏不住了，三极管往往撑不了30秒，而MOS管也许工作得还好好的。

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